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意法半導(dao)體(ti)新(xin)推出的SLLIMM?-nano智(zhi)能功率模塊(kuai)(IPM)引(yin)入新(xin)的封裝類型，并集成(cheng)更多元(yuan)器(qi)件，加(jia)快(kuai)300W以下低功率電機(ji)驅動器(qi)研發，簡化組裝過程。

3A和5A 模塊內置當(dang)前*********的600V超(chao)結MOSFET，最大限度提升空氣壓縮機、風扇、泵等設備的能(neng)效(xiao)。各種直列引(yin)腳(jiao)或Z形引(yin)腳(jiao)封(feng)裝有助于優化(hua)空間占用(yong)率，確保(bao)所需的引(yin)腳(jiao)間距。內部開(kai)孔選項(xiang)讓(rang)低價散(san)熱器(qi)的安裝更容(rong)易(yi)。此(ci)外，發射極開(kai)路輸出分(fen)開(kai)設計可簡化(hua)PCB板單(dan)路或三路Shunt (分(fen)流電阻)電流監(jian)視走線。

每個(ge)IPM模塊都包含由六支MOSFET組成的(de)(de)三相半橋和一(yi)個(ge)高壓(ya)(ya)柵驅動芯片。新增功能有助于簡(jian)化保護電(dian)(dian)路和防(fang)錯(cuo)電(dian)(dian)路設計，包括一(yi)個(ge)用于檢測電(dian)(dian)流的(de)(de)未使用的(de)(de)運(yun)放、用于高速錯(cuo)誤保護電(dian)(dian)路的(de)(de)比較器(qi)和用于監視(shi)溫度的(de)(de)可選(xuan)的(de)(de)NTC (負(fu)溫度系數)熱敏電(dian)(dian)阻，還集成一(yi)個(ge)自舉二極(ji)管，以降低物(wu)料清單(BOM)成本，簡(jian)化電(dian)(dian)路板(ban)布局設計。智能關斷電(dian)(dian)路可保護功率開關管，欠(qian)壓(ya)(ya)鎖保護(UVLO)預防(fang)低Vcc或Vboot電(dian)(dian)壓(ya)(ya)引起的(de)(de)功能失效(xiao)。

超(chao)結MOSFET在25°C時(shi)通態(tai)電(dian)(dian)阻(zu)只有(you)1.0?，最(zui)(zui)大 1.6? ，低(di)(di)(di)電(dian)(dian)容和(he)低(di)(di)(di)柵(zha)電(dian)(dian)荷(he)可最(zui)(zui)大限度降(jiang)低(di)(di)(di)通態(tai)損耗和(he)開關損耗，從而提(ti)升20kHz以(yi)下硬開關電(dian)(dian)路的能效，包括各(ge)種工業電(dian)(dian)機驅動器，準(zhun)許低(di)(di)(di)功率應用無需使用散(san)熱器。此(ci)外，優(you)化的開關di/dt和(he)dV/dt上(shang)升速率確保EMI干擾處于(yu)一個(ge)較(jiao)低(di)(di)(di)的級別，可以(yi)進一步(bu)簡(jian)化電(dian)(dian)路的設計布(bu)局。

新模塊的(de)最高額定結溫是150°C，取(qu)得(de)了UL 1557認證，電(dian)絕緣級別高達(da)1500Vrms/min。